SE10FG-M3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | SE10FG-M3/H |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
30000+ | $0.0736 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-219AB (SMF) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 780 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | SE10 |
SE10FG-M3/H Einzelheiten PDF [English] | SE10FG-M3/H PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
SE10FJ-M3 VISHAY
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
SE10FG-M3 VISHAY
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SE10FG-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|